Číslo produktu výrobce:
RUS100N02TB
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
RUS100N02TB-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Inventář:
138 Ks Nový Originál Skladem
13527495
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
RUS100N02TB Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
10A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
12mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2250 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2W (Ta)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-SOP
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základní číslo výrobku
RUS100
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
RUS100N02TBDKR
RUS100N02TBCT
RUS100N02TBTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
DMN2009LSS-13
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1816
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMN2009LSS-13-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.22
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
RS3E135BNGZETB
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2565
DiGi ČÍSLO DÍLU
RS3E135BNGZETB-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.36
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
RCX200N20
MOSFET N-CH 200V 20A TO220FM
RV2C010UNT2L
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
SCT3105KLGC11
SICFET N-CH 1200V 24A TO247N
