Číslo produktu výrobce:
STB12NM50T4
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STB12NM50T4-DG
Popis:
MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 550 V 12A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventář:
12874946
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STB12NM50T4 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
MDmesh™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
550 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
12A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
350mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 50µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1000 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
160W (Tc)
Provozní teplota
-65°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
D2PAK
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
STB12N
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
497-5381-6
497-5381-6-DG
497-STB12NM50T4TR
497-5381-2-DG
497-5381-1-DG
STB12NM50T4-DG
497-STB12NM50T4DKR
497-STB12NM50T4CT
497-5381-1
497-5381-2
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXTA16N50P
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTA16N50P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.83
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXFA16N50P3
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFA16N50P3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.20
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
STL24N60DM2
MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV
STP120N10F4
MOSFET N-CH 100V TO-220
STP30NM60N
MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
