Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
STB38N65M5
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STB38N65M5-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventář:
Poptejte online
12877289
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STB38N65M5 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
MDmesh™ V
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
30A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
95mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
190W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
STB38
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
STx38N65M5
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
497-13086-6
497-13086-2
497-13086-1
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IPB60R099CPAATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
700
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPB60R099CPAATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
4.17
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IPB60R125C6ATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2357
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPB60R125C6ATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.54
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IPB60R099CPATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1212
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPB60R099CPATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.99
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IPB60R099C6ATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2845
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPB60R099C6ATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.99
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IPB60R125CPATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1762
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPB60R125CPATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.04
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
STW18NM80
MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
STL90N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 90A POWERFLAT
STD8NM50N
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
STD3N62K3
MOSFET N-CH 620V 2.7A DPAK