Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
STW18NM80
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STW18NM80-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventář:
Poptejte online
12877290
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STW18NM80 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tube
Řada
MDmesh™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
800 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
17A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
295mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2070 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
190W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247-3
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
STW18
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
STx18NM80
Další informace
Standardní balíček
30
Další jména
497-10085-5
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
SPW17N80C3FKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
452
DiGi ČÍSLO DÍLU
SPW17N80C3FKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.35
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
AOK20N60L
VÝROBCE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
174
DiGi ČÍSLO DÍLU
AOK20N60L-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.65
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXFX32N80Q3
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
767
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFX32N80Q3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
22.90
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRFPC60LCPBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
653
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFPC60LCPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.11
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXFK32N80Q3
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
446
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFK32N80Q3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
17.37
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
STL90N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 90A POWERFLAT
STD8NM50N
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
STD3N62K3
MOSFET N-CH 620V 2.7A DPAK
STFI20NM65N
MOSFET N-CH 650V 15A I2PAKFP