Číslo produktu výrobce:
STD4NK60Z-1
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STD4NK60Z-1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventář:
35 Ks Nový Originál Skladem
12878398
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STD4NK60Z-1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tube
Řada
SuperMESH™
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 50µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
510 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
70W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
I-PAK
Balení / pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základní číslo výrobku
STD4NK60
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
75
Další jména
497-19650
STD4NK60Z-1-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
DIGI Certifikace
Související produkty
STB33N60DM6
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
STP31N65M5
MOSFET N-CH 650V 22A TO220
STB200NF04-1
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
