STFI11N60M2-EP
Číslo produktu výrobce:

STFI11N60M2-EP

Product Overview

Výrobce:

STMicroelectronics

Číslo dílu:

STFI11N60M2-EP-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V I2PAK-FP
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 7.5A (Tc) 25W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)

Inventář:

12871000
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

STFI11N60M2-EP Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
-
Řada
MDmesh™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
595mOhm @ 3.75A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.75V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
12.4 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
390 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
25W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
I2PAKFP (TO-281)
Balení / pouzdro
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Základní číslo výrobku
STFI11N

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
1,500

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
STF10N60M2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2606
DiGi ČÍSLO DÍLU
STF10N60M2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.53
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
stmicroelectronics

STL45P3LLH6

MOSFET P-CH 30V 45A POWERFLAT

stmicroelectronics

STF6NK70Z

MOSFET N-CH 700V 5A TO220FP

stmicroelectronics

STF12N65M5

MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220FP

stmicroelectronics

STW20N90K5

MOSFET N-CH 900V 20A TO247