Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
STP11NM65N
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STP11NM65N-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Inventář:
334 Ks Nový Originál Skladem
12876308
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STP11NM65N Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tube
Řada
MDmesh™ II
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
11A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
455mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
800 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
110W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
STP11N
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
STx(x)11NM65N
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
-497-13108-5
497-13108-5
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IPP60R299CPXKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPP60R299CPXKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.25
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXTP8N65X2M
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
46
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTP8N65X2M-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.27
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXTP8N70X2
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
28
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTP8N70X2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.74
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXTP14N60PM
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTP14N60PM-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.52
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IPP60R380E6XKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPP60R380E6XKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.13
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
STB36N60M6
MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
STB24N60M2
MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
STF25N80K5
MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220FP
STD90N03L-1
MOSFET N-CH 30V 80A IPAK