Číslo produktu výrobce:
STP2N80K5
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STP2N80K5-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 2A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 2A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220
Inventář:
1680 Ks Nový Originál Skladem
12879644
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STP2N80K5 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tube
Řada
SuperMESH5™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
800 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
2A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
4.5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 100µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
3 nC @ 10 V
VGS (Max)
30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
95 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
45W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
STP2N80
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
497-14279-5
-497-14279-5
STP2N80K5-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
STV200N55F3
MOSFET N-CH 55V 200A 10POWERSO
STDLED656
MOSFET N-CH 650V 6A DPAK
STL18N55M5
MOSFET N-CH 550V 2.4A POWERFLAT
