Číslo produktu výrobce:
STP5N120
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STP5N120-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1200V 4.7A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 1200 V 4.7A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220
Inventář:
12877104
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STP5N120 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
-
Řada
SuperMESH™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
1200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4.7A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
3.5Ohm @ 2.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 100µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
120 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
160W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
STP5N
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
STP5N120-DG
497-8811-5
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXFP6N120P
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
171
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFP6N120P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
5.19
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
STR2P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
STL16N65M2
MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
STP33N60DM2
MOSFET N-CH 600V 24A TO220
