STP5NK60Z
Číslo produktu výrobce:

STP5NK60Z

Product Overview

Výrobce:

STMicroelectronics

Číslo dílu:

STP5NK60Z-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 5A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220

Inventář:

1103 Ks Nový Originál Skladem
12947063
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

STP5NK60Z Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tube
Řada
SuperMESH™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
5A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.6Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 50µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
690 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
90W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
STP5NK60

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
50
Další jména
-497-3196-5
497-3196-5
497-3196-5-NDR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
fairchild-semiconductor

BS170-D26Z

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

international-rectifier

IRFU5410PBF

IRFU5410 - 20V-250V P-CHANNEL PO

fairchild-semiconductor

FDPF10N60ZUT

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

international-rectifier

IRF6775MTRPBF

IRF6775 - 12V-300V N-CHANNEL POW