Číslo produktu výrobce:
STW13N80K5
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STW13N80K5-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 12A TO247
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 12A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventář:
12878380
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STW13N80K5 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tube
Řada
SuperMESH5™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
800 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
12A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
450mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 100µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
870 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
190W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247-3
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
STW13
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
30
Další jména
497-15160-5
STW13N80K5-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXFH16N80P
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
295
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFH16N80P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
4.52
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXFH14N60P
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
24
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFH14N60P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.65
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
SPW11N80C3FKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2520
DiGi ČÍSLO DÍLU
SPW11N80C3FKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.49
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
STF11NM60ND
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
STU2N105K5
MOSFET N-CH 1050V 1.5A IPAK
STP25NM60N
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB