Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
STW20NM65N
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STW20NM65N-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventář:
Poptejte online
12874385
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STW20NM65N Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
-
Řada
MDmesh™ II
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
19A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
190mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2500 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
160W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247-3
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
STW20N
Další informace
Standardní balíček
30
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
FCH190N65F-F155
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
415
DiGi ČÍSLO DÍLU
FCH190N65F-F155-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.95
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
APT34M60B
VÝROBCE
Microchip Technology
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
APT34M60B-DG
CENY ZA JEDNOTKU
11.84
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
APT34F60B
VÝROBCE
Microchip Technology
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
9
DiGi ČÍSLO DÍLU
APT34F60B-DG
CENY ZA JEDNOTKU
12.56
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
SPW20N60C3FKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2123
DiGi ČÍSLO DÍLU
SPW20N60C3FKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.91
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IPW60R170CFD7XKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPW60R170CFD7XKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.72
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
STP24NM60N
MOSFET N-CH 600V 17A TO220
STP13N60DM2
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
STB6NK90ZT4
MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
STD11N65M2
MOSFET N-CH 650V 7A DPAK