Číslo produktu výrobce:
CSD17575Q3T
Product Overview
Výrobce:
Texas Instruments
Číslo dílu:
CSD17575Q3T-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 60A (Ta) 2.8W (Ta), 108W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Inventář:
19759 Ks Nový Originál Skladem
12815075
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
CSD17575Q3T Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Texas Instruments
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
NexFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
60A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2.3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.8V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4420 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.8W (Ta), 108W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
CSD17575
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Produktová stránka výrobce
Další informace
Standardní balíček
250
Další jména
2156-CSD17575Q3T
296-37961-6
296-37961-1
296-37961-2
TEXTISCSD17575Q3T
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IRF300P227
MOSFET N-CH 300V 50A TO247AC
EPC2001
GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE
CSD25485F5T
MOSFET P-CH 20V 5.3A 3PICOSTAR
