Číslo produktu výrobce:
RN2117MFV,L3F
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
RN2117MFV,L3F-DG
Popis:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Inventář:
8000 Ks Nový Originál Skladem
12890966
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
poLy
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
RN2117MFV,L3F Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Jednotlivé, předpřetížené bipolární tranzistory
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
PNP - Pre-Biased
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100 mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50 V
Rezistor - Báze (R1)
10 kOhms
Rezistor - Báze emitoru (R2)
4.7 kOhms
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
500nA
Výkon - Max
150 mW
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SOT-723
Balíček zařízení dodavatele
VESM
Základní číslo výrobku
RN2117
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
8,000
Další jména
264-RN2117MFV,L3FDKR
RN2117MFVL3F
264-RN2117MFV,L3FCT
264-RN2117MFV,L3FTR
RN2117MFVL3F-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
RN1108MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN2421(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
RN1117MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
