RN2117MFV,L3F
Číslo produktu výrobce:

RN2117MFV,L3F

Product Overview

Výrobce:

Toshiba Semiconductor and Storage

Číslo dílu:

RN2117MFV,L3F-DG

Popis:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM

Inventář:

8000 Ks Nový Originál Skladem
12890966
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
dDPC
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

RN2117MFV,L3F Technické specifikace

Kategorie
Bipolární (BJT), Jednotlivé, předpřetížené bipolární tranzistory
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
PNP - Pre-Biased
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100 mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50 V
Rezistor - Báze (R1)
10 kOhms
Rezistor - Báze emitoru (R2)
4.7 kOhms
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
500nA
Výkon - Max
150 mW
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SOT-723
Balíček zařízení dodavatele
VESM
Základní číslo výrobku
RN2117

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
8,000
Další jména
264-RN2117MFV,L3FDKR
RN2117MFVL3F
264-RN2117MFV,L3FCT
264-RN2117MFV,L3FTR
RN2117MFVL3F-DG

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1108MFV,L3F

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2421(TE85L,F)

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1117MFV,L3F

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2106,LF(CT

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM