Číslo produktu výrobce:
TK20V60W,LVQ
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
TK20V60W,LVQ-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 20A (Ta) 156W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Inventář:
12889484
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
TK20V60W,LVQ Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
DTMOSIV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
20A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
170mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.7V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1680 pF @ 300 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
156W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
4-DFN-EP (8x8)
Balení / pouzdro
4-VSFN Exposed Pad
Základní číslo výrobku
TK20V60
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
TK20V60WLVQDKR
TK20V60WLVQCT
TK20V60WLVQTR
TK20V60W,LVQ(S
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
TK16G60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
TK8A45D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 8A TO220SIS
SSM3K301T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM
