Číslo produktu výrobce:
TK290P60Y,RQ
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
TK290P60Y,RQ-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 11.5A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventář:
1985 Ks Nový Originál Skladem
12889149
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
TK290P60Y,RQ Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
DTMOSV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
290mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 450µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
730 pF @ 300 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
100W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
DPAK
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
TK290P60
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
2,000
Další jména
TK290P60YRQCT
TK290P60YRQTR
TK290P60YRQDKR
TK290P60YRQ(S
TK290P60Y,RQ(S
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IPD60R280CFD7ATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
4891
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPD60R280CFD7ATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.86
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
SSM6J424TU,LF
MOSFET P-CH 20V 6A UF6
2SJ438(AISIN,Q,M)
MOSFET P-CH TO220NIS
SSM3J371R,LF
MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F
