Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
TK39N60W,S1VF
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
TK39N60W,S1VF-DG
Popis:
MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-247
Inventář:
6 Ks Nový Originál Skladem
12891305
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
D
8
v
o
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
TK39N60W,S1VF Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tube
Řada
DTMOSIV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
38.8A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
65mOhm @ 19.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.7V @ 1.9mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4100 pF @ 300 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
270W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
TK39N60
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
TK39N60W
Další informace
Standardní balíček
30
Další jména
TK39N60WS1VF
TK39N60W,S1VF(S
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
FCH067N65S3-F155
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
900
DiGi ČÍSLO DÍLU
FCH067N65S3-F155-DG
CENY ZA JEDNOTKU
5.11
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXTH48N65X2
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
272
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTH48N65X2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
5.48
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IPW65R048CFDAFKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
80
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPW65R048CFDAFKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
7.59
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
2SK2962,T6WNLF(M
MOSFET N-CH TO92MOD
TPC8111(TE12L,Q,M)
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
SSM3J15FV,L3F
MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
TK7A90E,S4X
MOSFET N-CH 900V 7A TO220SIS