Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
DR Kongo
Argentina
Turecko
Rumunsko
Litva
Norsko
Rakousko
Angola
Slovensko
LTALY
Finsko
Bělorusko
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Černá Hora
Ruština
Belgie
Švédsko
Srbsko
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Moldavsko
Německo
Nizozemsko
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
Francie
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Portugalsko
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Španělsko
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
TK4A60DB(STA4,Q,M)
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
TK4A60DB(STA4,Q,M)-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 3.7A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventář:
Poptejte online
12889194
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
D
q
n
k
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
TK4A60DB(STA4,Q,M) Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
-
Řada
π-MOSVII
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
3.7A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2Ohm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.4V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
540 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
35W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220SIS
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Základní číslo výrobku
TK4A60
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
TK4A60DB(STA4QM)
TK4A60DBSTA4QM
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STF4LN80K5
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1998
DiGi ČÍSLO DÍLU
STF4LN80K5-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.61
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STF3N62K3
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1978
DiGi ČÍSLO DÍLU
STF3N62K3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.35
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
TK1K9A60F,S4X
VÝROBCE
Toshiba Semiconductor and Storage
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
TK1K9A60F,S4X-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.31
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRFIBC30GPBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1568
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFIBC30GPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.22
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
AOTF4N60L
VÝROBCE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1966
DiGi ČÍSLO DÍLU
AOTF4N60L-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.33
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
TK4P50D(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
TK20A60W,S5VX
MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
SSM3K56ACT,L3F
MOSFET N-CH 20V 1.4A CST3
SSM6J505NU,LF
MOSFET P-CH 12V 12A 6UDFNB