Číslo produktu výrobce:
TPH1110FNH,L1Q
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
TPH1110FNH,L1Q-DG
Popis:
MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 10A (Ta) 1.6W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventář:
11608 Ks Nový Originál Skladem
12890946
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
TPH1110FNH,L1Q Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
U-MOSVIII-H
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
250 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
10A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
112mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 300µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.6W (Ta), 57W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-SOP Advance (5x5)
Balení / pouzdro
8-PowerVDFN
Základní číslo výrobku
TPH1110
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
5,000
Další jména
TPH1110FNH,L1QDKR-DG
TPH1110FNHL1QCT
TPH1110FNH,L1QCT-DG
TPH1110FNH,L1QDKR
TPH1110FNH,L1Q(M
TPH1110FNHL1QTR
TPH1110FNH,L1QTR-DG
TPH1110FNH,L1QCT
TPH1110FNH,L1QTR
TPH1110FNHL1QDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SSM6J801R,LF
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
TPCA8045-H(T2L1,VM
MOSFET N-CH 40V 46A 8SOP
TPH3300CNH,L1Q
MOSFET N-CH 150V 18A 8SOP
