Číslo produktu výrobce:
TPN1110ENH,L1Q
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
TPN1110ENH,L1Q-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 7.2A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventář:
34748 Ks Nový Originál Skladem
12891567
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
TPN1110ENH,L1Q Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
U-MOSVIII-H
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
7.2A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
114mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 200µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
600 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
700mW (Ta), 39W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Balení / pouzdro
8-PowerVDFN
Základní číslo výrobku
TPN1110
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
5,000
Další jména
TPN1110ENHL1QCT
TPN1110ENHL1QTR
TPN1110ENHL1QDKR
TPN1110ENH,L1Q(M
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
DMN2025UFDF-7
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN
TPH14006NH,L1Q
MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
TK14N65W,S1F
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
