Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
TPN2R703NL,L1Q
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
TPN2R703NL,L1Q-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 45A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventář:
4830 Ks Nový Originál Skladem
12890605
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
TPN2R703NL,L1Q Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
U-MOSVIII-H
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
45A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2.7mOhm @ 22.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 300µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2100 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
700mW (Ta), 42W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Balení / pouzdro
8-PowerVDFN
Základní číslo výrobku
TPN2R703
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
TPN2R703NL
Další informace
Standardní balíček
5,000
Další jména
TPN2R703NL,L1QDKR-DG
TPN2R703NL,L1Q(M
TPN2R703NLL1QDKR
TPN2R703NL,L1QDKR
TPN2R703NLL1QCT
TPN2R703NL,L1QTR-DG
TPN2R703NLL1QTR
TPN2R703NL,L1QCT-DG
TPN2R703NL,L1QCT
TPN2R703NL,L1QTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
AON6360
VÝROBCE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
6000
DiGi ČÍSLO DÍLU
AON6360-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.23
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
TK3A60DA(Q,M)
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220SIS
TK100L60W,VQ
MOSFET N-CH 600V 100A TO3P
TK10A60W5,S5VX
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
TPN4R203NC,L1Q
MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV