Číslo produktu výrobce:
IRF840LCSTRL
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
IRF840LCSTRL-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 8A (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventář:
12912963
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRF840LCSTRL Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
500 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
8A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
850mOhm @ 4.8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.1W (Ta), 125W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
IRF840
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
800
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
FDB12N50TM
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1
DiGi ČÍSLO DÍLU
FDB12N50TM-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.91
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STB11NK50ZT4
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
872
DiGi ČÍSLO DÍLU
STB11NK50ZT4-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.34
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
IRFI9634GPBF
MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220-3
IRF9630PBF
MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
IXFA4N100Q
MOSFET N-CH 1000V 4A TO263