Číslo produktu výrobce:
IRFB9N30APBF
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
IRFB9N30APBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 300V 9.3A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 300 V 9.3A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventář:
12905553
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRFB9N30APBF Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
300 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
9.3A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
450mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
920 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
96W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220AB
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
IRFB9
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
*IRFB9N30APBF
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STP12NK30Z
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
508
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP12NK30Z-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.99
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
ZXMN6A07FTC
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
ZXMN3F30FHTA
MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
ZVP1320A
MOSFET P-CH 200V 70MA TO92-3
