Číslo produktu výrobce:
IRFBG20PBF
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
IRFBG20PBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 1000 V 1.4A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventář:
1421 Ks Nový Originál Skladem
12908664
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRFBG20PBF Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
1000 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
11Ohm @ 840mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
500 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
54W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220AB
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
IRFBG20
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
*IRFBG20PBF
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IRFZ14STRLPBF
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
IXFB90N85X
MOSFET N-CH 850V 90A PLUS264
IRFR320
MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
