Číslo produktu výrobce:
SI4866DY-T1-GE3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SI4866DY-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
Podrobný popis:
N-Channel 12 V 11A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventář:
2500 Ks Nový Originál Skladem
12913111
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SI4866DY-T1-GE3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
12 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
11A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
2.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
5.5mOhm @ 17A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
600mV @ 250µA (Min)
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.6W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-SOIC
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základní číslo výrobku
SI4866
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
742-SI4866DY-T1-GE3TR
742-SI4866DY-T1-GE3DKR
SI4866DY-T1-GE3-DG
742-SI4866DY-T1-GE3CT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SI7315DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
SI8415DB-T1-E1
MOSFET P-CH 12V 5.3A 4MICROFOOT
IRFI9540GPBF
MOSFET P-CH 100V 11A TO220-3
