Číslo produktu výrobce:
SIA444DJT-T4-GE3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SIA444DJT-T4-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 11A/12A PPAK
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 11A (Ta), 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventář:
12918595
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
I5bh
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SIA444DJT-T4-GE3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
-
Řada
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
11A (Ta), 12A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
17mOhm @ 7.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
560 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerPAK® SC-70-6
Balení / pouzdro
PowerPAK® SC-70-6
Základní číslo výrobku
SIA444
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
3,000
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SI7456DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
SIHD240N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
SIHH14N65E-T1-GE3
MOSFET N-CH 650V 15A PPAK 8 X 8
