Číslo produktu výrobce:
SIA917DJ-T1-GE3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SIA917DJ-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Inventář:
12920629
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SIA917DJ-T1-GE3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Vishay
Balení
-
Řada
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 P-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4.5A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
110mOhm @ 2.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
9nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 10V
Výkon - Max
6.5W
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Balíček zařízení dodavatele
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Základní číslo výrobku
SIA917
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
SIA917DJT1GE3
SIA917DJ-T1-GE3DKR
SIA917DJ-T1-GE3CT
SIA917DJ-T1-GE3TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
NTLJD3115PT1G
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
14268
DiGi ČÍSLO DÍLU
NTLJD3115PT1G-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.20
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
FDMA1029PZ
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
8411
DiGi ČÍSLO DÍLU
FDMA1029PZ-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.26
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
SIA921EDJ-T1-GE3
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
7568
DiGi ČÍSLO DÍLU
SIA921EDJ-T1-GE3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.18
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
SI3993DV-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6TSOP
SQJ244EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
SISF20DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 14A/52A PPAK 12
