Číslo produktu výrobce:
SIR688DP-T1-GE3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SIR688DP-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 60A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventář:
12921024
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
1Djv
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SIR688DP-T1-GE3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
60A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
3.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.7V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3105 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
5.4W (Ta), 83W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerPAK® SO-8
Balení / pouzdro
PowerPAK® SO-8
Základní číslo výrobku
SIR688
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Výkresy produktů
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
SIR688DP-T1-GE3DKR
SIR688DP-T1-GE3-DG
SIR688DP-T1-GE3TR
SIR688DP-T1-GE3CT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
RS3L045GNGZETB
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1173
DiGi ČÍSLO DÍLU
RS3L045GNGZETB-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.25
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
RS1L145GNTB
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1003
DiGi ČÍSLO DÍLU
RS1L145GNTB-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.81
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
SIHU7N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 7A TO251
SIHP24N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
SQJ469EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
