Číslo produktu výrobce:
SQJ469EP-T1_GE3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SQJ469EP-T1_GE3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Podrobný popis:
P-Channel 80 V 32A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventář:
8792 Ks Nový Originál Skladem
12921065
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
8cYk
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SQJ469EP-T1_GE3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
80 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
32A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
6V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
25mOhm @ 10.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5100 pF @ 40 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
100W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerPAK® SO-8
Balení / pouzdro
PowerPAK® SO-8
Základní číslo výrobku
SQJ469
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
SQJ469EP-T1-GE3TR
SQJ469EP-T1_GE3TR
SQJ469EP-T1-GE3-DG
SQJ469EP-T1-GE3TR-DG
SQJ469EP-T1_GE3CT
SQJ469EP-T1-GE3CT
SQJ469EP-T1-GE3CT-DG
SQJ469EP-T1-GE3DKR-DG
SQJ469EP-T1_GE3DKR
SQJ469EP-T1-GE3
SQJ469EP-T1-GE3DKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SISS26DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S
2N7002L
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
SIJ400DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8
