Číslo produktu výrobce:
SQD50N04-5M6_T4GE3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SQD50N04-5M6_T4GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 50A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventář:
42117 Ks Nový Originál Skladem
12786824
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SQD50N04-5M6_T4GE3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
40 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
50A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
5.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4000 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
71W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252AA
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
SQD50
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
SQD50N04-5M6_T4GE3CT
SQD50N04-5M6_T4GE3-DG
SQD50N04-5M6_T4GE3TR
SQD50N04-5M6_T4GE3DKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SIHP24N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
SUD23N06-31-GE3
MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
SIR474DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8