Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
IRFPC50LC
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
IRFPC50LC-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventář:
Poptejte online
13049534
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRFPC50LC Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
-
Řada
-
Balení
Tube
Stav dílu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
11A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
600mOhm @ 6.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
84 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2300 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
190W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247AC
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
IRFPC50
Další informace
Standardní balíček
500
Další jména
*IRFPC50LC
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STW10NK60Z
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
425
DiGi ČÍSLO DÍLU
STW10NK60Z-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.74
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
APT18M80B
VÝROBCE
Microchip Technology
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
APT18M80B-DG
CENY ZA JEDNOTKU
5.48
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STW13NK60Z
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
STW13NK60Z-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.67
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
IRFR010TR
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
IRFBF30S
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
IRF830AL
MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK
2N6661JTXP02
MOSFET N-CH 90V 860MA TO39