Číslo produktu výrobce:
BSP322PH6327XTSA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
BSP322PH6327XTSA1-DG
Popis:
MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Podrobný popis:
P-Channel 100 V 1A (Tc) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventář:
3053 Ks Nový Originál Skladem
12801390
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
BSP322PH6327XTSA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
SIPMOS®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
800mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 380µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
372 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.8W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-SOT223-4
Balení / pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Základní číslo výrobku
BSP322
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
SP001058784
BSP322PH6327XTSA1CT
BSP322PH6327XTSA1DKR
BSP322PH6327XTSA1TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IPW65R080CFDAFKSA1
MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3
IPB70N10S3L12ATMA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
IPP037N06L3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3