Číslo produktu výrobce:
IPC045N10L3X1SA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPC045N10L3X1SA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 1A (Tj) Surface Mount Sawn on foil
Inventář:
12800336
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPC045N10L3X1SA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Bulk
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1A (Tj)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
100mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
2.1V @ 33µA
VGS (Max)
-
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
-
Provozní teplota
-
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
Sawn on foil
Balení / pouzdro
Die
Základní číslo výrobku
IPC045N
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
1
Další jména
IPC045N10L3X1SA1-DG
448-IPC045N10L3X1SA1
SP001187424
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IPD050N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
IPA60R125CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 25A TO220-FP
IPP120N06S4H1AKSA2
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
