Číslo produktu výrobce:
SPB17N80C3ATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
SPB17N80C3ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventář:
1942 Ks Nový Originál Skladem
12806895
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SPB17N80C3ATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
CoolMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
800 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
17A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
290mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
177 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2300 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
227W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO263-3-2
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
SPB17N80
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
SPB17N80C3INCT
SPB17N80C3ATMA1DKR
SP000013370
SPB17N80C3XTINCT
SPB17N80C3INTR-NDR
SPB17N80C3INTR
SPB17N80C3ATMA1TR
SPB17N80C3XTINCT-DG
SPB17N80C3XT
SPB17N80C3
SPB17N80C3INDKR
SPB17N80C3INDKR-DG
SPB17N80C3XTINTR
SPB17N80C3ATMA1CT
SPB17N80C3INCT-NDR
SPB17N80C3T
SPB17N80C3INTR-DG
SPB17N80C3XTINTR-DG
SPB17N80C3INCT-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SPS03N60C3
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3
SPD03N60C3BTMA1
MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK
SPW17N80C3FKSA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3