Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
IXFH30N60X
Product Overview
Výrobce:
IXYS
Číslo dílu:
IXFH30N60X-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247
Inventář:
107 Ks Nový Originál Skladem
12915658
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IXFH30N60X Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Littelfuse
Balení
Tube
Řada
HiPerFET™, Ultra X
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
30A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
155mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 4mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2270 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
500W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
IXFH30
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
IXF(T,Q,H)30N60X
Technické listy
IXFH30N60X
HTML Datový list
IXFH30N60X-DG
Další informace
Standardní balíček
30
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
SCT3120ALGC11
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
6940
DiGi ČÍSLO DÍLU
SCT3120ALGC11-DG
CENY ZA JEDNOTKU
4.30
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IPW60R180P7XKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
237
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPW60R180P7XKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.54
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
FCH170N60
VÝROBCE
Fairchild Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
11513
DiGi ČÍSLO DÍLU
FCH170N60-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.97
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXFH34N65X2
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
89
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFH34N65X2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
4.08
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
IPW60R190C6FKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
292
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPW60R190C6FKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.70
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
SUM23N15-73-E3
MOSFET N-CH 150V 23A TO263
IXTP240N055T
MOSFET N-CH 55V 240A TO220AB
SI4403DDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC
SIRA26DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8