Číslo produktu výrobce:
IXFH9N80Q
Product Overview
Výrobce:
IXYS
Číslo dílu:
IXFH9N80Q-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 9A TO247AD
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 9A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventář:
12819707
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IXFH9N80Q Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Littelfuse
Balení
-
Řada
HiPerFET™, Q Class
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
800 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
9A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.1Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 2.5mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2200 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
180W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247AD (IXFH)
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
IXFH9
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
30
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
SPW17N80C3FKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
452
DiGi ČÍSLO DÍLU
SPW17N80C3FKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.35
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STW10NK80Z
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
39
DiGi ČÍSLO DÍLU
STW10NK80Z-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.27
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
SPW11N80C3FKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2520
DiGi ČÍSLO DÍLU
SPW11N80C3FKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.49
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
IRFS23N20DTRRP
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
IXFP4N100Q
MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
IXFK120N25
MOSFET N-CH 250V 120A TO264AA
