Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
FDG8842CZ
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDG8842CZ-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 30V 0.75A SC88
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V, 25V 750mA, 410mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Inventář:
Poptejte online
12837756
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDG8842CZ Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
N and P-Channel
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30V, 25V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
750mA, 410mA
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
400mOhm @ 750mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
1.44nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
120pF @ 10V
Výkon - Max
300mW
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balíček zařízení dodavatele
SC-88 (SC-70-6)
Základní číslo výrobku
FDG8842
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
FDG8842CZ
Technické listy
FDG8842CZ
HTML Datový list
FDG8842CZ-DG
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
FDG8842CZDKR
FDG8842CZTR
FDG8842CZCT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
NTJD4105CT1G
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
22900
DiGi ČÍSLO DÍLU
NTJD4105CT1G-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.09
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
AUIRF7103Q
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
FDC6327C
MOSFET N/P-CH 20V 2.7A SSOT6
FDC6401N
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6
FDS4935
MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC