Číslo produktu výrobce:
FDMS86101E
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDMS86101E-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 12.4A (Ta), 60A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventář:
12924319
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDMS86101E Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
12.4A (Ta), 60A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
6V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
8mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-PQFN (5x6)
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
FDMS86101
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
2832-FDMS86101ETR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
FDMS86101
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
3728
DiGi ČÍSLO DÍLU
FDMS86101-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.85
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
JAN2N6770
MOSFET N-CH 500V 12A TO204AE
JANTXV2N7224
MOSFET N-CH 100V 34A TO254AA
FDD107AN06LA0
MOSFET N-CH 60V 3.4A/10.9A TO252
