Číslo produktu výrobce:
FDN336P
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDN336P-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 1.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventář:
20283 Ks Nový Originál Skladem
12847411
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDN336P Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
2.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
200mOhm @ 1.3A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
330 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
500mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-23-3
Balení / pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo výrobku
FDN336
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
FDN336PDKR
FDN336PCT
ONSFSCFDN336P
FDN336PTR
2156-FDN336P-OS
FDN336PCT-NDR
FDN336PTR-NDR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
FQPF6P25
MOSFET P-CH 250V 4.2A TO220F
FQU9N25TU
MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK
FDD1600N10ALZ
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
