FDP2532
Číslo produktu výrobce:

FDP2532

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FDP2532-DG

Popis:

MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 150 V 8A (Ta), 79A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventář:

12847407
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

FDP2532 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tube
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
150 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
8A (Ta), 79A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
6V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
16mOhm @ 33A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
107 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5870 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
310W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
FDP25

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
50
Další jména
2156-FDP2532-OS
FAIFSCFDP2532

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
onsemi

FDH50N50

MOSFET N-CH 500V 48A TO247-3

onsemi

FDN336P

MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3

onsemi

FQPF6P25

MOSFET P-CH 250V 4.2A TO220F

onsemi

FQU9N25TU

MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK