Číslo produktu výrobce:
FDS3170N7
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDS3170N7-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 6.7A 8SO
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 6.7A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP
Inventář:
12839286
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDS3170N7 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
6.7A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
6V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
26mOhm @ 6.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
77 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2714 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-SO FLMP
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Základní číslo výrobku
FDS31
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
FDS3170N7_NLTR
FDS3170N7CT-NDR
FDS3170N7DKR
FDS3170N7TR
FDS3170N7_NLTR-DG
FDS3170N7_NL
FDS3170N7_NLCT
FDS3170N7CT
FDS3170N7TR-NDR
FDS3170N7_NLCT-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
FDMS3672
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
5020
DiGi ČÍSLO DÍLU
FDMS3672-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.18
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FCP16N60N-F102
MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
FQD1P50TF
MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK
FDB7030BL
MOSFET N-CH 30V 60A TO263AB
