Číslo produktu výrobce:
IRLW630ATM
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
IRLW630ATM-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 3.1W (Ta), 69W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventář:
12835849
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRLW630ATM Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
9A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
400mOhm @ 4.5A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
755 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.1W (Ta), 69W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-262 (I2PAK)
Balení / pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základní číslo výrobku
IRLW63
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
800
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IRF624SPBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1814
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRF624SPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.81
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
RCJ120N20TL
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
33
DiGi ČÍSLO DÍLU
RCJ120N20TL-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.44
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRFU220PBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2912
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFU220PBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.52
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
FQPF6N80
MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F
FDD4685-F085P
MOSFET P-CH 40V 32A TO252
