Číslo produktu výrobce:
NVB25P06T4G
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NVB25P06T4G-DG
Popis:
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 27.5A (Ta) 120W (Tj) Surface Mount D2PAK
Inventář:
12856955
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NVB25P06T4G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
27.5A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
82mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
VGS (Max)
±15V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1680 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
120W (Tj)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
D2PAK
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
NVB25P
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
800
Další jména
NVB25P06T4G-DG
NVB25P06T4GOSDKR
NVB25P06T4GOSCT
NVB25P06T4GOSTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
NTB25P06T4G
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
NTB25P06T4G-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.92
Druh náhrady
Parametric Equivalent
ČÍSLO DÍLU
FQB27P06TM
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
14
DiGi ČÍSLO DÍLU
FQB27P06TM-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.81
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
NVMFS6H836NT1G
MOSFET N-CH 80V 15A/74A 5DFN
NTAT6H406NT4G
MOSFET N-CH 80V 175A ATPAK
NTD30N02T4
MOSFET N-CH 24V 30A DPAK
