Číslo produktu výrobce:
US6K4TR
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
US6K4TR-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 1.5A 1W Surface Mount TUMT6
Inventář:
3427 Ks Nový Originál Skladem
13525879
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
US6K4TR Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1.5A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
180mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
110pF @ 10V
Výkon - Max
1W
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
6-SMD, Flat Leads
Balíček zařízení dodavatele
TUMT6
Základní číslo výrobku
US6K4
Technický list a dokumenty
Dokumenty spolehlivosti
Zdroje návrhu
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
US6K4DKR
US6K4CT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
QH8MA4TCR
MOSFET N/P-CH 30V 9A/8A TSMT8
UM6K31NFHATCN
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6
US6J12TCR
MOSFET 2P-CH 12V 2A TUMT6