Číslo produktu výrobce:
STD3NM60T4
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STD3NM60T4-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 3A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventář:
12880865
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STD3NM60T4 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
MDmesh™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
3A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.5Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
324 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
42W (Tc)
Provozní teplota
-65°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
DPAK
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
STD3N
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
497-3161-1-NDR
1026-STD3NM60T4
497-3161-2
497-3161-2-NDR
497-3161-1
497-3161-6
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
SPD03N60C3ATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
27364
DiGi ČÍSLO DÍLU
SPD03N60C3ATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.54
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
STP4NK50ZFP
MOSFET N-CH 500V 3A TO220FP
STI13NM60N
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
STI150N10F7
MOSFET N-CH 100V 110A I2PAK
