Číslo produktu výrobce:
IRF9Z14LPBF
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
IRF9Z14LPBF-DG
Popis:
MOSFET P-CH 60V 6.7A I2PAK
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 6.7A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventář:
13048953
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRF9Z14LPBF Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tube
Řada
-
Balení
Tube
Stav dílu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
6.7A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
500mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
270 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
I2PAK
Balení / pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základní číslo výrobku
IRF9Z14
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
*IRF9Z14LPBF
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IRF730AS
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
IRFBE20PBF
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB
IRFPC50LC
MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
