FDMS8560S
Číslo produktu výrobce:

FDMS8560S

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FDMS8560S-DG

Popis:

MOSFET N-CH 25V 30A/70A 8PQFN
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 30A (Ta), 70A (Tc) 2.5W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventář:

Poptejte online
12839279
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

FDMS8560S Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Cut Tape (CT)
Řada
PowerTrench®, SyncFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
25 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
30A (Ta), 70A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
VGS (Max)
±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4350 pF @ 13 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta), 65W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-PQFN (5x6)
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
FDMS85

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
FDMS8560S
Technické listy
FDMS8560S
HTML Datový list
FDMS8560S-DG

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
FDMS8560SDKR
FDMS8560SCT
2832-FDMS8560S
FDMS8560STR
FDMS8560S-DG

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
CSD16325Q5
VÝROBCE
Texas Instruments
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
5572
DiGi ČÍSLO DÍLU
CSD16325Q5-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.85
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
CSD16414Q5
VÝROBCE
Texas Instruments
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2602
DiGi ČÍSLO DÍLU
CSD16414Q5-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.77
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
BSC018NE2LSIATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
9750
DiGi ČÍSLO DÍLU
BSC018NE2LSIATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.50
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
BSC018NE2LSATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
11357
DiGi ČÍSLO DÍLU
BSC018NE2LSATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.49
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Související produkty
infineon-technologies

BSC025N03MSGATMA1

MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

onsemi

FDS3170N7

MOSFET N-CH 100V 6.7A 8SO

onsemi

FCP16N60N-F102

MOSFET N-CH 600V 16A TO220F

onsemi

FQD1P50TF

MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK